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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NDD02N60ZT4G 

产品描述

MOSFET NFET IPAK 600V 2.2A 4.8R

内部编号

277-NDD02N60ZT4G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:105851
1+¥3.082
25+¥2.8508
100+¥2.6967
500+¥2.6197
1000+¥2.4656
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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#3

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NDD02N60ZT4G产品详细规格

规格书 NDD02N60ZT4G datasheet 规格书
NDx02N60Z
NDD02N60ZT4G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 600V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.2A
Rds(最大)@ ID,VGS 4.8 Ohm @ 1A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4.5V @ 50µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 10.1nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 274pF @ 25V
功率 - 最大 57W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
associated 7SA
LT1158CSW#PBF
TC4431COA
FK 244 08 D PAK
3209885-M

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